按照原子结构分，高纯晶硅可以分为单晶硅、多晶硅、无定形硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅，而单晶硅基本上均由多晶硅拉制而成。因此，高纯硅产品又常常被高纯多晶硅。按照用途和纯度等级分，可以分为电子级硅和太阳能级硅。高纯硅可作半导体材料，制造集成电路、晶体管、硅整流器等半导体器件，还可以制造太阳能电池。
又名二氧化硅或石英砂。是以石英为主要矿物成分、粒径在 0.020mm-3.350mm 的耐火颗粒物，根据开采和加工方法的不同分为人工硅砂及水洗砂、擦洗砂、精选（浮选）砂等天然硅砂。硅砂是一种坚硬、耐磨、化学性能稳定的硅酸盐矿物，其主要矿物成分是SiO2 ，硅砂的颜色为乳白色或无色半透明状，硬度7，性脆无解理，贝壳状断口，油脂光泽，相对密度为2.65，其化学、热学和机械性能具有明显的异向性，不溶于酸，微溶于KOH溶液，熔点1750℃。颜色呈乳白色、淡黄、褐色及灰色，硅砂有较高的耐火性能。
在自然界中,硅通常以含氧化合物形式存在,其中最简单的是硅和氧的化合物硅石。
石英、水晶等是纯硅石的变体。矿石和岩石中的硅氧化合物统称硅酸盐,较重要的有长石、高岭土、滑石、云母、石棉、钠沸石、石榴石、锆石英和绿柱石等。土壤、黏土和砂子是天然硅酸盐岩石风化后的产物。
晶体硅光电池 晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散形成Pn结成制作，生产技术成熟，是光伏市场上的主导产品。采用埋层电极、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及接触电极等技术，提高材料中的载流子收集效率，优化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背电极等方式，光电转换效率有较大提高。单晶硅光电池面积有限，目前比较大的为 ∮10至 20cm的圆片，年产能力46MW/a。目前主要课题是继续扩大产业规模，开发带状硅光电池技术，提高材料利用率。国际公认最高效率在AM1.5条件下为24％，空间用高质量的效率在AMO条件约为13.5—18％地面用大量生产的在AM1条件下多在11—18％之间。以定向凝固法生长的铸造多晶硅锭代替＃晶硅，可降低成本，但效率较低。优化正背电极的银浆和铝浆丝网印刷，磨图抛工艺，千方百计进一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光电池的转换效率最高达18.6%。
非晶硅光电池 a－Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成。由于外解沉积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚的薄膜，易于大面积化（05rn×l.0m），成本较低，多采用p in结构。为提高效率和改善稳定性，有时还制成三层P in等多层叠层式结构，或是插入一些过渡层。其商品化产量连续增长，年产能力45MW／a，10MW生产线已投入生产，全球市场用量每月在1千万片左右，居薄膜电池首位。发展集成型a－Si光电池组件，激光切割的使用有效面积达90％以上，小面积转换效率提高到 14.6％，大面积大量生产的为8－10％，叠层结构的最高效率为21％。研发动向是改善薄膜特性，精确设计光电池结构和控制各层厚度，改善各层之间界面状态，以求得高效率和高稳定性。
多晶硅光电池 P－Si（多晶硅，包括微品）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p－Si光电池转换效率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制备的转换效率约为12.6—l7.3%。采用廉价衬底的p—si薄膜生长方法有PECVD和热丝法，或对a—si：H材料膜进行后退火，达到低温固相晶化，可分别制出效率9.8%和9.2%的无退化电池。微晶硅薄膜生长与a—si工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视，但效率仅为7.7％大面积低温p—si膜与—si组成叠层电池结构，是提高比a—S光电池稳定性和转换效率的重要途径，可更充分利用太阳光谱，理论计算表明其效率可在28％以上，将使硅基薄膜光电池性能产生突破性进展。铜烟硒光电池 CIS（铜锁硒）薄膜光电池己成为国际先伏界研究开发的热门课题，它具有转换效率高（已达到17.7％），性能稳定，制造成本低的特点。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上分别沉积多层膜而构成的，厚度可做到2－3μrn，吸收层CIS膜对电池性能起着决定性作用。现已开发出反应共蒸法和硒化法（溅射、蒸发、电沉积等）两大类多种制备方法，其它外层通常采用真空蒸发或溅射成膜。阻碍其发展的原风是工艺重复性差，高效电池成品率低，材料组分较复杂，缺乏控制薄膜生长的分析仪器。CIS光电池正受到产业界重视，一些知名公司意识到它在未来能源市场中的前景和所处地位，积极扩人开发规模，着手组建中试线及制造厂。
硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件。它的结构很简单，核心部分是一个大面积的PN结，把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管的管芯(PN结)受到光照时，你就会看到微安表的表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多，所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。
晶格有序排列的叫单晶硅是，无序排列的叫多晶硅；生产单晶硅的基材是多晶硅材料。生产成的太阳能极板，单晶硅的比多晶硅的光电转换效率要高。
首先他们的外观和颜色不同，单晶电池板用的单晶电池片4个角都被切去一块，而多晶电池片是完整的正方形。
单晶板一般是黑色，多晶板一般是蓝色。单晶电池片有两种型号，单晶125（对角线是125mm*125mm）和156，多晶只有156。
单晶的转换效率比多晶高，一般高2%吧，单晶转换效率能到18%-19%。所以按瓦算的话，单晶电池板一般要比多晶的贵。也就是说多晶电池板成本便宜些
有机硅是矿山吗是一个经常讨论的话题。许多人对有机硅的来源和性质感到好奇，尤其是在工业和科学领域。在本文中，我们将探讨有机硅的定义、用途以及它与矿山的关系。
有机硅是一种广泛应用于化工、医药、电子、建筑等领域的无机化合物。它通常由硅和碳等元素组成，具有独特的化学性质和物理性质。有机硅可以是线性的、环状的，还可以是聚合体，有着多样化的分子结构。
有机硅在工业生产中有着广泛的应用，比如用作硅橡胶的原料、化工产品的生产、润滑油的添加剂等。此外，在医药领域，有机硅也被用于制备药物及生物医用材料。在建筑领域，有机硅被用作防水剂、涂料、胶粘剂等。
尽管有机硅包含硅元素，但它并不是直接从矿山中提炼得到的产品。有机硅通常是通过化学合成的方法制备而成，需要经过多道工艺流程才能得到最终产品。因此，有机硅与传统的矿山产品在生产过程和化学性质上存在较大差异。
总的来说，有机硅是矿山吗这个问题可以得到明确的回答：有机硅并不是直接来自于矿山的产品，而是通过人工合成得到的化合物，具有多种广泛的应用领域。
硅原料本身不具有毒性。因为硅元素是地壳中含量最丰富的元素之一，是构成大部分岩石和土壤的成分，因此硅原料在自然界中广泛存在。同时，硅也是我们身体中必要的微量元素之一，对身体有一定益处。然而，对于某些工业生产过程中使用的含有化学成分的硅材料，可能存在一定的毒性，如二氧化硅粉尘、硅氟化物等，需要注意防护措施。因此，在使用硅原料时需要注意它的来源和化学成分，做好防护措施，避免对身体造成损害。
硅材料是理想的太阳能光电转换材料，到目前为止太阳能光电工业主要以硅材料为主。
硅在地壳中含量丰富，但在自然界中没有游离态。主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在，地壳中含量最多的元素氧和硅结合形成的二氧化硅sio2，偶尔硅石占地壳总质量的87%。
硅材料，重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能。
制备 工业上,通常是在电炉中由碳还原二氧化硅而制得. 硅是地球上储量第二的化学元素,作为半导体材料,人们对它研究得最多、技术最成熟,而且晶硅性能稳定、无毒,因此成为太阳电池研究开发、生产和应用中的主体材料....
单晶硅主要原料是二氧化硅硅,沙漠中提取沙子的得到的。
单晶硅通常指的是硅原子以一种排列形式形成的物质。
硅是最常见应用最广的半导体材料，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成晶核，其晶核长成晶面取向相同的晶粒，形成单晶硅。
